中文名:郝跃
国籍:中国
民族:汉
出生地:重庆
出生日期:1958年3月
职业:中国科学院院士、西安电子科技大学副校长、教授
毕业院校:西安电子科技大学
主要成就:中国科学院院士 973计划首席科学家 核高基科技重大专项实施专家组组长 国务院学科评议组电子一级学科召集人 总装备部微电子专家组组长
代表作品:国家技术发明二等奖1项、国家科技进步二、三等奖各一项
籍贯:安徽阜阳
1976年至1978年在云南省第十七地质队队部工作。
1978年至1982年就读于西北电讯工程学院(现西安电子科技大学)半导体物理与器件专业,获学士学位。
1982年至1993年历任西安电子科技大学微电子所助教、讲师、副教授。其间,1983年至1985年在西安电子科技大学半导体物理与器件专业读研究生,获硕士学位;1988年至1991年在西安交通大学计算数学专业读研究生,获博士学位。
1993年至,任西安电子科技大学教授。
1996年至2017年任西安电子科技大学副校长。
2018年12月—九三学社中央常委、陕西省委会主委,中国科学院院士,西安电子科技大学微电子学院教授、博士生导师,全国政协委员。
2019年9月,当选为陕西省侨联第八届委员会主席。
第九、十届全国政协委员。第十一届全国人大代表。陕西省第十二届人大代表。九三学社第十四届中央委员会委员。十三届全国政协委员。中国侨联十届常委。
现为国际IEEE学会高级会员,中国电子学会常务理事,担任国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长,总装备部微电子技术专家组组长,国务院第七届学科评议组(电子科学与技术一级学科)召集人,国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员。国家重大基础研究计划(973计划)项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家,陕西省科学技术协会副主席,教育部科技委委员。
长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
郝跃教授主要从事理论和基础性研究,研究方向为集成电路可靠性设计与统计最优化理论和方法,IC制造动力学理论和方法的研究,以及可靠设计技术和方法学研究。在该领域研究中,取得了创造性成果,提出了利用分形描述硅片缺陷的空间分布和粒径分布的理论,实现了集成电路功能成品率表征与最优化设计系统。在该方向他先后承担国家科技攻关、军事电子预研、863高科技项目和各类基金项目七项。先后在国内外重要学术刊物和会议上发表论文80余篇,出版专(合)著五部,获
2017年11月14日至15日,九三学社陕西省十三届一次全会上,郝跃当选主任委员。
2018年12月19日致公党十五届二中全会的闭幕,九三学社陕西省委会主委郝跃被增选为九三学社中央常委。
主持的科研成果获得国家发明奖二等奖一项,国家科技进步二、三等奖各一项;省部级科技成果一、二等奖十余项;获得国家发明专利授权二十余项。
2005年和2011年两次当选“科学中国人”年度人物。
2019年度陕西省最高科学技术奖。
出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”、“微纳米MOS器件可靠性与失效机理”、“碳化硅宽带隙半导体技术”、“集成电路制造动力学理论与方法”等多本著作,在国内外著名期刊上发表学术论文300余篇,有200余篇被SCI收录。
2021年9月,教育部公布为“2021全国教书育人楷模”。
这是一个年轻的团队,却已成就“强”且“大”的研究平台;他们是后起之秀,却已环绕着耀眼的荣誉光环;他们甘于清苦与寂寞,如今却赢得了巨大的社会效益和经济效益。
西安电子科技大学教授郝跃和他带领的宽禁带半导体技术科研团队,依托宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,开展宽禁带半导体材料与器件的应用基础研究,实验室已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地,是西安电子科技大学微电子学与固体电子学国家重点学科、“211工程”重点建设学科和国家集成电路人才培养基地的重要支撑。
敏锐洞察微电子前沿
上世纪,信息科学技术蓬勃兴起,作为信息时代技术基础的集成电路——微电子技术成为大热门。彼时,在微电子领域已崭露头角的郝跃却敏锐地感觉到,传统的微电子技术研究已经遇到了问题。
以硅为半导体材料的集成电路技术基础研究成为关注的核心。一方面,随着集成电路的集成度每18个月翻一番,使半
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