刘兴钊简介

1995.02-2000.03，电子科技大学信息材料工程学院材料物理与化学专业，博士研究生，获工学博士学位。

1989.07-1992.07，中科院固体物理研究所凝聚态物理专业，硕士研究生，获理学硕士学位。

1985.09-1989.07，武汉大学物理系，本科，获理学学士学位。

2004.08－今，电子科技大学微电子与固体电子学院，教授。

2000.08-2004.07，电子科技大学微电子与固体电子学院，副教授；

1997.08-1998.07，德国Karsruhe研究中心（FZK）,客座研究人员；

1994.07-2000.07，电子科技大学信息材料工程学院，讲师；

1992.08-1994.07，电子科技大学信息材料工程学院，助教；

2013.03-今，中国电子学会电子材料学分会第七届委员会委员。

重点研究方向为：新兴半导体材料及器件，包括：

1、二维化合物半导体材料及晶体管研究——针对未来集成电路发展对新材料的需求，开展晶圆级

二维化合物半导体材料制备技术研究，并探索其在晶体管及集成电路中应用的可行性。

2、宽禁带半导体材料及紫外探测器研究——针对大型配电设施对电路短路的早期预警需要，开展

新兴宽禁带半导体材料制备、紫外探测器研制及其与信号处理电路的集成等研究。

3、窄禁带半导体材料及红外探测器研究——针对火灾报警需要，开展新兴窄禁带半导体材料制备、

异质结设计、红外探测器研制及其与信号处理电路的集成等研究。

注：

（1）、对于有志于这些方面研究的同学，最好能来我办公室当面交流，这样彼此都能有个较深入的认识

和了解，办公室位于：电子科技大学沙河校区微固楼226（最好先邮件预约）。

（2）、欢迎同样从事这些方面研究的同行及朋友多多联系。

2003年度，国家技术发明二等奖（排名第二）；

2002年度，国防科学技术一等奖（排名第二）；

2005年度，教育部技术发明一等奖（排名第三）；

发表及合作发表刊物论文90余篇，近期的代表性论文如下：

(1).Li-junHe,ChuanLi,Xing-zhaoLiu*,Theelectricalandmorphologicalpropertiesofmagnesiummoxide/aluminabilayeredthinfilmspreparedbyelectronbeamevaporationatobliqueincidence，Appl.Surf.Sci.292(2014)665–669

(2).XingzhaoLiu*,ChaoChen,JunZhu,WanliZhang,andYanrongLi,Themodulationeffectsofchargeddielectricthinfilmsontwo-dimensionalelectrongasinAlGaN/GaNheterostructure,J.Appl.Phys.114