杨德仁简介

1975年，杨德仁杨考入江苏省扬州市第一中学，先后就读于初中部和高中部。

1981年，杨德仁高中毕业后考入浙江大学，就读于金属材料热处理专业，先后获得学士学位（1985年）、硕士学位和博士学位（1991年）。

1991年，杨德仁从浙江大学硅材料国家重点实验室获半导体材料工学博士毕业后，进入浙江大学材料科学与工程博士后流动站工作，其间在日本东北大学金属材料研究所访问研究。

1993年，杨德仁从博士后流动站出站后晋升为副教授。

1995年初，杨德仁赴德国弗莱贝格工业大学工作。

1997年5月，杨德仁被浙江大学特批晋升教授。

1998年初，杨德仁从德国回国后，在硅材料国家重点实验室工作，担任副主任、博士生导师。同年入选浙江省跨世纪科学和技术带头人（"151"人才）第一层次。

2000年获聘教育部长江学者计划特聘教授

2002年，杨德仁获得国家杰出青年科学基金资助。

2007年，杨德仁担任科技部“国家重点基础研究发展

杨德仁科研成就

科研综述

杨德仁主要从事半导体硅材料研究。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路，发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，系统解决了相关硅晶体的基础科学问题，实现了实际应用；研究了纳米硅等的制备、结构和性能，成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料，为其器件研究和应用提供了材料基础。

学术论著

截至2018年9月，杨德仁在国际学术刊物发表SCI检索论文730多篇，SCI论文他引12380多次，H因子58。

杨德仁兼任国家重大科技专项（02）总体专家组成员，中国可再生能源学会常务理事，光伏专业委员会副主任，国务院学位委员会学科评审组成员，国家自然科学基金信息学部专家评审组成员，中国电子学会学术委员会委员，MemberofSEMIChinaTechnicalCommittee和MemberofSEMIChinaPVCommittee等，《JournalofSilicon》、《PhysicaSolidiState》等国际学术刊物编委。

杨德仁在硅材料的基础研究上取得重大成果，在生产实际中也产生重大经济效益。杨德仁作为浙江大学硅材料国家重点实验室主任和浙江大学“材料物理与化学”（原半导体材料）学科负责人，在秉承学科优良传统的基础上，坚持以硅为核心的半导体材料研究为特色，紧紧围绕国家信息术和能源的发展战略目标，取得了系列重要原始创新成果。（浙江大学评）